Metrika članka

  • citati u SCindeksu: 0
  • citati u CrossRef-u:0
  • citati u Google Scholaru:[=>]
  • posete u poslednjih 30 dana:0
  • preuzimanja u poslednjih 30 dana:0
članak: 2 od 2  
Back povratak na rezultate
Zbornik radova, Elektrotehnički institut "Nikola Tesla"
2007, br. 18, str. 21-34
jezik rada: srpski
vrsta rada: izvorni naučni članak

Odziv integrisanog kola izrađenog primenom 'BiFEt' procesa u polju X zračenja
Univerzitet u Beogradu, Elektrotehnički institut 'Nikola Tesla', Beograd

Sažetak

Standardni proces za proizvodnju integrisanih kola sastavljenih od bipolarnih i JFET tranzistora podvrgnut je ispitivanju u polju X zračenja. Za ispitivanje karakteristika "BiFET" procesa izabran je pozitivni stabilizator napona LM2940CT5. Pomenuto integrisano kolo sadrži upravljači sklop, kao i serijski energetski tranzistor, sastavljen od 350 elementarnih lateralnih PNP tranzistora. Ispitivanje kola je vršeno snimanjem karakteristika naponske regulacije i praćenjem promena izlaznog napona. Iako je izlazni napon polarizovanih uzoraka ostao u prihvatljivim granicama i nakon apsorbovanja većih doza X zračenja, karakteristike regulacije su ukazale na potpuni funkcionalni otkaz komponenata nakon apsorbovanja doze 60 krad(Si). Identifikovani su osnovni mehanizmi degradacije "BiFET" procesa.

Ključne reči

BiFET proces; integrisano kolo; lateralni PNP tranzistor; naponska regulacija; zahvati naelektrisanja u oksidu; spojni zahvati; X zračenje

Reference

*** (2003) LM2940 1 a low dropout voltage regulator. National Semiconductor
Dunkley, J.L., Dobkin, R.C. (1985) Semiconductor device with an ion implanted stabilization layer. United States Patent 4496963, Jan. 29
Khader, W.N., Wang, J.T., Hollins, B.E. (1985) Simplified BiFET process. United States Patent 4512815, Apr. 23
Kosier, S.L., Combs, W.E., Weit, A., Schrimpf, R.D., Fleetwood, D.M., Debus, M., Pease, R.L. (1994) Bounding the total-dose response of modern bipolar transistors. IEEE Transactions on Nuclear Science, 41, 1864-1870
Krishna, S., Ramde, A.R. (1989) Integrated circuit lateral transistor structure. United States Patent 4804634, Feb. 14
Messenger, G.C., Ash, M.S. (1992) The effects of radiation on electronic systems. New York: Van Nostrand Reinhold
Murkland, J.R., Congdon, J.S. (1983) Lateral PNP power transistor. United States Patent 4417265, Nov. 22
Schmidt, D.M., i dr. (1996) Modeling ionizing radiation induced gain degradation of the lateral PNP bipolar junction transistor. IEEE Transactions on Nuclear Science, 43, 3032-3039
Schmidt, D.M., i dr. (1995) Comparison of ionizing-radiation-induced gain degradation in lateral, substrate and vertical PNP BJTs. IEEE Transactions on Nuclear Science, 42, 1541-1549
Schrimpf, R.D. (1996) Recent advances in understanding total dose effects in bipolar transistors. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 43, br. 3, str. 787-796, June
Vukić, V., Osmokrović, P., Stanković, S. (2005) Influence of medium dose rate X and gamma radiation and bias conditions on characteristics of low dropout voltage regulators with lateral and vertical serial PNP transistors. u: 8th European conference on radiation and its effects on components and systems RADECS Cap d'Agde, Francuska
Vukić, V. (2005) Uticaj jonizujućeg zračenja na karakteristike linearnih stabilizatora napona. Zbornik radova, Elektrotehnički institut 'Nikola Tesla', br. 17, str. 31-44
Vukić, V., Osmokrović, P. (2006) Total ionizing dose response of commercial process for synthesis of linear bipolar integrated circuits
Wu, A., i dr. (1997) Radiation-induced gain degradation in lateral PNP BJTs with lightly and heavily doped emitters. IEEE Transactions on Nuclear Science, 44, 1914-1921